http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/65272| Название: | Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si |
| Авторы: | Сохань, К. C. |
| Ключевые слова: | физика математическая физика галлиевый нитрид легирование легированные образцы GaN:Si. стабильность полупроводники температура кремний |
| Дата публикации: | 2025 |
| Библиографическое описание: | Сохань, К.C. Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si / К.С. Сохань // Прикладная математика & Физика. - 2025. - Т.57, №2.-С. 125-130. |
| Краткий осмотр (реферат): | В статье рассматривается влияние легирования галлия нитрида(GaN) кремнием(Si) на его электрические свойства и стабильность при различных температурах |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/65272 |
| Располагается в коллекциях: | Т. 57, № 2 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Sokhan_Izuchenie_25.pdf | 731.5 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.