| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сохань, К. C. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-08-18T11:32:07Z | - |
| dc.date.available | 2025-08-18T11:32:07Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Сохань, К.C. Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si / К.С. Сохань // Прикладная математика & Физика. - 2025. - Т.57, №2.-С. 125-130. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/65272 | - |
| dc.description.abstract | В статье рассматривается влияние легирования галлия нитрида(GaN) кремнием(Si) на его электрические свойства и стабильность при различных температурах | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | математическая физика | ru |
| dc.subject | галлиевый нитрид | ru |
| dc.subject | легирование | ru |
| dc.subject | легированные образцы GaN:Si. | ru |
| dc.subject | стабильность | ru |
| dc.subject | полупроводники | ru |
| dc.subject | температура | ru |
| dc.subject | кремний | ru |
| dc.title | Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Appears in Collections: | Т. 57, № 2
|
