http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/65272| Title: | Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si |
| Authors: | Сохань, К. C. |
| Keywords: | физика математическая физика галлиевый нитрид легирование легированные образцы GaN:Si. стабильность полупроводники температура кремний |
| Issue Date: | 2025 |
| Citation: | Сохань, К.C. Изучение влияния температуры на параметры насыщения и стабильность легированных образцов GaN:Si / К.С. Сохань // Прикладная математика & Физика. - 2025. - Т.57, №2.-С. 125-130. |
| Abstract: | В статье рассматривается влияние легирования галлия нитрида(GaN) кремнием(Si) на его электрические свойства и стабильность при различных температурах |
| URI: | http://dspace.bsuedu.ru/handle/123456789/65272 |
| Appears in Collections: | Т. 57, № 2 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Sokhan_Izuchenie_25.pdf | 731.5 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.