http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60425| Название: | Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC |
| Авторы: | Рыбалка, С. Б. Краюшкина, Е. Ю. Демидов, А. А. Дракин, А. Ю. Зотин, В. Ф. |
| Ключевые слова: | физика физика твердого тела физика полупроводников полупроводники карбид кремния диод Шоттки термоэлектронная эмиссия уравнение Пуассона |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание: | Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC / С. Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №20(269), вып.48.-С. 93-97. |
| Краткий осмотр (реферат): | Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном направлении на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели, основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности для различных материалов анода (Ti, W, Мо и Ni) |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60425 |
| Располагается в коллекциях: | № 20 (269), вып. 48 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Rybalka_Raschet_17.pdf | 122.31 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.