| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Рыбалка, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Краюшкина, Е. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Демидов, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Дракин, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Зотин, В. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-02-19T12:17:37Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-19T12:17:37Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC / С. Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №20(269), вып.48.-С. 93-97. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60425 | - |
| dc.description.abstract | Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном направлении на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели, основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности для различных материалов анода (Ti, W, Мо и Ni) | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | физика полупроводников | ru |
| dc.subject | полупроводники | ru |
| dc.subject | карбид кремния | ru |
| dc.subject | диод Шоттки | ru |
| dc.subject | термоэлектронная эмиссия | ru |
| dc.subject | уравнение Пуассона | ru |
| dc.title | Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Appears in Collections: | № 20 (269), вып. 48
|
