Skip navigation
BelSU DSpace logo

Please use this identifier to cite or link to this item: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60425
Title: Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC
Authors: Рыбалка, С. Б.
Краюшкина, Е. Ю.
Демидов, А. А.
Дракин, А. Ю.
Зотин, В. Ф.
Keywords: физика
физика твердого тела
физика полупроводников
полупроводники
карбид кремния
диод Шоттки
термоэлектронная эмиссия
уравнение Пуассона
Issue Date: 2017
Citation: Расчет влияния материала анода на вольт-амперные характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния 4H-SiC / С. Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №20(269), вып.48.-С. 93-97.
Abstract: Рассчитана и смоделирована вольт-амперная характеристика диода Шоттки 4H-SiC в прямом и обратном направлении на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели, основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности для различных материалов анода (Ti, W, Мо и Ni)
URI: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60425
Appears in Collections:№ 20 (269), вып. 48

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Rybalka_Raschet_17.pdf122.31 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.