Skip navigation
BelSU DSpace logo

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4450
Название: The Hall effect in Ni-doped p-CdSb in a strong magnetic field
Авторы: Laiho, R.
Lashkul, A. V.
Zakhvalinskii, V. S.
Ключевые слова: physics
solid state physics
crystallography
Hall effect
magnetic field
single crystals
Дата публикации: 2008
Библиографическое описание: The Hall effect in Ni-doped p-CdSb in a strong magnetic field / R. Laiho, A.V. Lashkul, ... V.S Zakhvalinskii et al. // Semiconductor Science and Technology. - 2008. - Vol.23, N12.-Art. 125001. - doi:10.1088/0268-1242/23/12/125001.
Краткий осмотр (реферат): The Hall effect in single crystals of the group II–V semiconductor p-CdSb doped with 2 at% of Ni is investigated between T = 1.5 and 300 K in pulsed magnetic fields up to B = 25 T. The Hall resistivity, ρH, exhibits a nonlinear dependence on B, which is strongly pronounced below ~10 K but is still observed even up to 300 K
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/4450
Располагается в коллекциях:Статьи из периодических изданий и сборников (на иностранных языках) = Articles from periodicals and collections (in foreign languages)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Laiho_R_The Hall effect.pdf815.15 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.