| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Кучеев, С. И. | - |
| dc.contributor.author | Межаков, Н. Н. | - |
| dc.contributor.author | Захвалинский, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Пилюк, Е. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-02-15T12:29:19Z | - |
| dc.date.available | 2024-02-15T12:29:19Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO / С.И. Кучеев [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2017. - №13(262), вып.47.-С. 85-91. - Библиогр.: с. 91. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/60391 | - |
| dc.description.abstract | Наноразмерные (< 10 нм) пленки нитрида кремния, полученные магнетронным напылением, изменяют порог светочувствительности МДП структуры типа Si/Si3N4/HeMaTHK 5СВ/прозрачный электрод. Сдвиг смещения порога светочувствительности демонстрирует пропорциональность толщине пленок на начальных этапах их напыления | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | кристаллография | ru |
| dc.subject | жидкие кристаллы | ru |
| dc.subject | кремний | ru |
| dc.subject | нематики | ru |
| dc.subject | нитрид кремния | ru |
| dc.subject | магнетрон | ru |
| dc.subject | электроды | ru |
| dc.subject | лазерное излучение | ru |
| dc.subject | светочувствительность | ru |
| dc.title | Обеднение кремния, индуцированное пленками нитрида кремния в структуре Si/Si₃N₄/Нематик/ITO | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Располагается в коллекциях: | № 13 (262), вып. 47
|
