http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58065
Название: | Study on the achieving to strong coupling regime for InAs/GaAs quantum dot embedded in the nanocavity |
Авторы: | Mohebbifar, M. R. Gainutdinov, R. Kh. Khamadeev, M. A. |
Ключевые слова: | physics physical optics InAs/GaAs quantum dot strong coupling regime nanocavitv dressed state cavity decay rate |
Дата публикации: | 2015 |
Издательство: | Mohebbifar, M.R. Study on the achieving to strong coupling regime for InAs/GaAs quantum dot embedded in the nanocavity / M.R. Mohebbifar, Gainutdinov R.Kh., M.A. Khamadeev ; Kazan Federal University // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2015. - №11(208), вып.39.-С. 205-210. |
Краткий осмотр (реферат): | In order to the generation of single photon and the production of dressed states between photons and electrons in nanophotonic structures, achieving strong coupling regime is necessary. One of the best ways achieving to strong coupling, is quantum dots embedded in nanocavitv of photonic crystals |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/58065 |
Располагается в коллекциях: | № 11 (208), вып. 39 |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Mokhebbifar_Study.pdf | 168.24 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.