http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/54585| Название: | Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод |
| Авторы: | Гончаров, И. Ю. Колесников, Д. А. Кучеев, С. И. Омельченко, Е. И. Тучина, Ю. С. |
| Ключевые слова: | физика физика твердого тела кристаллография кремний жидкокристаллическая решетка ионные пучки |
| Дата публикации: | 2012 |
| Библиографическое описание: | Обеднение кремния, облученного фокусированным пучком ионов Ga в структуре Si /нематик/ электрод / И. Ю. Гончаров [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2012. - №23(142), вып.29.-С. 122-127. |
| Краткий осмотр (реферат): | Результаты экспериментального исследования возможности использования фокусированных ионных пучков галлия сканирующего ионного микроскопа для решения задачи безмасочного варьирования порога обеднения кремния в структуре Si/ нематик/электрод |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/54585 |
| Располагается в коллекциях: | № 23 (142), вып. 29 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Goncharov_Obednenie_kremniya.pdf | 197.91 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.