| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Захвалинский, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Пилюк, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Никуличева, Т. Б. | - |
| dc.contributor.author | Иванчихин, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Япрынцев, М. Н. | - |
| dc.contributor.author | Ерина, Т. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-03-29T09:03:59Z | - |
| dc.date.available | 2024-03-29T09:03:59Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Получение и механизмы электропроводности тонких пленок дираковского полуметалла Cd₃As₂ / В.С. Захвалинский [и др.] ; НИУ БелГУ // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2019. - Т.51, №4.-С. 533-540. | ru |
| dc.identifier.uri | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/61794 | - |
| dc.description.abstract | В работе описывается метод выращивания высококачественных тонких пленок Cd₃As₂. Измерена зависимость электропроводности от температуры в интервале от 3 К до 300 К. В области гелиевых температур определен диапазон реализации механизма прыжковой проводимости с переменной длинной прыжка по Шкловскому-Эфросу | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | физика | ru |
| dc.subject | физика твердого тела | ru |
| dc.subject | тонкие пленки | ru |
| dc.subject | магнитные полупроводники | ru |
| dc.subject | дираковские полуметаллы | ru |
| dc.subject | электропроводность | ru |
| dc.subject | прыжковая проводимость | ru |
| dc.title | Получение и механизмы электропроводности тонких пленок дираковского полуметалла Cd₃As₂ | ru |
| dc.type | Article | ru |
| Appears in Collections: | Т. 51, № 4
|
