http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/59260| Название: | Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC |
| Авторы: | Рыбалка, С. Б. Краюшкина, Е. Ю. Хвостов, В. А. Демидов, А. А. |
| Ключевые слова: | физика физика твердого тела физика полупроводников полупроводники карбид кремния диоды диоды Шоттки термоэлектронная эмиссия уравнение Пуассона |
| Дата публикации: | 2016 |
| Библиографическое описание: | Моделирование вольт-амперной характеристики диода Шоттки на основе карбида кремния ₄H-SiC / С. Б. Рыбалка [и др.] ; Брянский государственный технический университет // Научные ведомости БелГУ. Сер. Математика. Физика. - 2016. - №13(234), вып.43.-С. 140-143. - Библиогр.: с. 143. |
| Краткий осмотр (реферат): | Вольт-амперная характеристика диода Шоттки ₄H-SiC с контактом Шоттки из Ni в прямом направлении была рассчитана и смоделирована на основе теории термоэлектронной эмиссии и физической аналитической модели основанной на уравнении Пуассона, уравнений диффузии и непрерывности |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | http://dspace.bsu.edu.ru/handle/123456789/59260 |
| Располагается в коллекциях: | № 13 (234), вып. 43 |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Rybalka_Modelirovanie.pdf | 100.54 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.