Когерентное тормозное излучение в кристаллах при сверхвысоких энергиях электронов

Abstract

Рассмотрен процесс когерентного излучения в кристалле для электронов ультравысокой энергии (порядка 100 ГэВ) в случае, когда частица движется одновременно под малым углом φ к одной из кристаллографических осей и под малым углом θ к одной из кристаллографических плоскостей. Показано, что наряду с обычными когерентными максимумами, в спектре возникает новый максимум высокой интенсивности в области малых частот, обусловленный вкладом плоскостей высокого порядка